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厂商型号

NTDV3055L104-1G 

产品描述

MOSFET

内部编号

277-NTDV3055L104-1G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:0
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美国费城
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NTDV3055L104-1G产品详细规格

规格书 NTDV3055L104-1G datasheet 规格书
NTD(V)3055L104
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 75
供应商封装形式 IPAK
欧盟RoHS指令 Compliant
标签 Tab
包装高度 6.35(Max)
安装 Through Hole
包装宽度 2.38(Max)
PCB 3
包装长度 6.73(Max)
引脚数 3
铅形状 Through Hole
系列 *
标准包装 75
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 12 A
RDS(ON) 104 mOhms
安装风格 SMD/SMT
功率耗散 48 W
下降时间 80 ns
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 DPAK
典型关闭延迟时间 40 ns
上升时间 210 ns
最高工作温度 + 175 C
漏源击穿电压 70 V
栅极电荷Qg 20 nC

NTDV3055L104-1G系列产品

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